LDO瞬态响应太快的疑问

hi大家好，在做LDO瞬态响应仿真时遇到点疑问。想请教一下大家：
设计的LDO在50mA的电流pulse下的瞬态响应如下：

首先感觉就是大电流出现和消失的瞬间，Vout都没有过冲，跟经典的瞬态响应图不太一致，此时的电压drop仅在3mv以内！有点不敢相信这个结果啊，请问大家有没有遇到过这种情况！
检查了一下，此时的buffer（source follower）级的电流为7uA。
如果将buffer电流减小为1.4uA，则才出现了经典的瞬态响应图如下：

50mA负载下的闭环带宽为8.2MHz，那按照林肯莫拉给出的公式，是不是可以解释为什么LDO能如此快速的响应呢?
我用的是0.13um工艺，此时power管的长宽比为2800um/0.12um（寄生电容才2.25pF！）
不知道是不是因为寄生电容小了，7uA的slew电流都能使LDO快速的完成瞬态响应。有点不太敢相信这个仿真结果啊，请大家指教！

按照林肯莫拉的理论，大电流产生和消失的瞬间，由于PMOS管的未完全导通和关断，导致了overshoot，那么如果环路响应时间够快，同时slew rate的影响也被弱化的话，是不是就不会存在overshoot的问题了。
不知道我的理解对不对，还请大家指点啊！

有没有前辈遇到过类似的问题啊?

我猜是buffer（source follower）级的电流为7uA时，此时的闭环phase margin=90

啥意思? PM90度就不会有overshoot?

瞬态电流上升或下降沿时间是多少?我看图好像是1uS吧,如果你用的结构是中间插buffer的,应该是这样的,没有问题,因为响应足够快嘛.
我想知道这个瞬态电流的时间只是估计出来的吗?清不清楚实际负载瞬态电流有多快,要是10nS还能跟得上吗?

就是按照林肯莫拉的理论，计算一下t1, t2,t3,t4， undershoot和overshoot， 除了t1和undershoot对不上，其它都能对应上，所以就不确定是不是对的。
另外，如果10ns的话，的确是响应跟不上。
现在很关键的问题是只要稍微加大buffer级的电流，瞬态响应就像第一幅图一样了，虽然感觉很好，但是就是总觉得对自己的设计不可信……

你说的林肯莫拉的理论能分享一下吗?有电子版吗?

就是他的PHD论文，你在网上搜一搜就有了：）

论文名是什么?

是片外大电容的么?如果是轻载至重载，PMOS源极跟随的静态电流并不是对功率管的放电电流，实际上远大于静态电流。