两级运放中的米勒电容用mos电容代替出现的问题

两级运放中的米勒电容用MOS电容代替后，带宽和相位都减小了。并且改变与与电容相连的电阻，对PM不怎么起影响。
。由于第二级运放栅和漏之间的压降只有0.3。所以我用的是NMOS电容，使它完全处于截止状态。相当于是该电容处于积累区，
请高人指点。

可以用NMOS嘛，你的衬底是隔离的?
除非你用three well NMOS

用MOS电容，这么精确?

工艺支持可以用nativePMOS

请教下，什么是three well NMOS?开始是用mim电容的。嫌面积太大，所以想采用MOS电容试试。

NMOS栅源电压0.3V，这个时候电容是小的。衬底电位?

MOS是四端器件，作为miller Cap 那么sub 接哪?

衬底接GND。

我的NMOS电容衬底接地。则该NMOS处于耗尽区，容值很小。但衬底接源的话，工艺好像不支持。

我后来采用了PMOS电容，使它工作在积累区，电路可以工作，但有一个问题不解，想再请教下。我增大PMOS电容的面积，运放的增益带宽积也增加，PM减小。按理说，应该是相反的情况啊。不解。想请教下。

嗯。后来我改用PMOS电容，衬底和源端接在一起，使其工作在积累区，运放可以正常工作，但有一个现象不解，使PMOS面积增大，运放增益增大，PM减小。不知道为什么会这样。