求助关于LVT MOS和普通MOS的问题

本人用TSMC的工艺，使用普通MOS管做了一个VCO，同一期流片的其他两人用的都是LVT MOS管。流片回来测试发现直流电流超出仿真结果2~3倍，频率下降20%，怀疑是做成了LVT MOS;后来我把设计里的普通管换成LVT管，仿真结果和测试结果比较吻合，应该可以确定是做成了LVT管。请问大家遇到过类似的问题没?是不是同一块MPW只能支持一种MOS管?

LVT MOS只是多加了一道MASK，这样的话同一块MPW应该可以支持多种MOS管的

有这么大的电流区别嘛?

我觉得先要看下工艺文档看这个LVT和普通MOS怎么做出来的，如果普通MOS就是在LVT MOS的基础上进行沟道注入，那么可能是mask没开窗?或者注入失败?

工艺文档里写着：
Multiple Vt devices for low leakage or high performance requirements.
These devices may be mixed on same die.
那应该是可以兼容的呀。

找了个tsmc025的文档来看了下
似乎OD层就实现了两次操作，第一次是普通管子VT调整，第二次是oxide生长。
做native管子的时候需要多一层VTN，VTN是在普通管子VT调整的时候用来挡住native管那部分的。
而作LVT管子的话，就在普通VT管的基础上再进行注入，需要多一层mask。
如果是上面这种，觉得小编的情况有可能是工艺厂在普通管VT调整后，把OD层误当做LVT层来使用了。

感谢楼上的老师！感觉这种错误不像TSMC会犯的~明天上班了我去查查MPW的版图，再测测其它片子看看。

个人感觉可能问题出在版图。可以和T的人确认下，有没有用VTN这块板做过一次LVT注入（假如T以为这次MPW只有LVT管子，也许会这么来一把，当然，可能性挺小的）；或者，在做VTN注入的时候就把剂量搞成了LVT的剂量。