关于带隙基准的一些疑问
1. 对温度一阶补偿后的二次曲线（近似）为什么有的开口向下有的开口向上?
2. 论文中实现Sub-1V的基准都采用电流模结构，为什么不用电压模的基准分压呢?（当然要经过阻抗变换比如加个运放）
1. 二阶温度补偿一般是S形状，无所谓开口不开后，如果说有开口的话，是你补偿还不够。
2. 一般1.2电压分压的基准都要求电源电压>1.2V, sub-1V的基准的应用一般是考虑电源电压很低(<1.2V)
哦， 是这样
但是第一个问题我问的是一阶补偿啊，一阶补偿后的效果肯定近似抛物线的！为什么有的开口向下而有的开口向上呢?
你说的那是高阶补偿了
理论上要开口向下，开口向上应该是引入了其它量进来
比如运放输入的offset电压如果随温度变化可能就有开口向上（由Razavi知OP offset对基准电压影响较大）
Sorry.
一阶的开口是由于电阻类型造成的。
你可以做3个测试实验来做比较：
1. 使用理想电阻做bgr
2. 使用负温度系数电阻做bgr
3.使用正温度系数做bgr
电阻温度系数是造成开口的原因。
由于工艺不同，有的正或负的温度系数的TC1,TC2 不足以使得开口向上。所以要求你自己设定温度系数做一个研究。
另外，如果电阻模型中包含了电阻衬底电压系数，也有可能造成开口影响。希望你比较后回复在这里。：）
基于BJT的是向下的，基于MOS管是向上的。
一阶的开口是由于电阻类型造成的，是猜想吗?能否说说其中缘由。
是电阻和Vt温度系数的原因，这个可以推导的，而且仿基准的时候也会发现这个问题
是因为电阻的二阶温度系数很大吗?如果是那样的话，需要看你所用电阻二阶温度系数是不是起主导作用。如果其它二阶温度系数起主导作用，可能这个开口方向就不会由电阻决定了。
基准电压和电阻比例相关，这样的电阻温度系数会影响吗?
微弱影响，一级近似下没有影响。
不好意思，几天没来了。我先试试看，但是我想bjt的带隙中电阻都是以比例项出现的，它们的温度系数应该抵消了啊。
我先试试再说
要是真试出是由电阻温度系数造成开口不同一定与大家分享啊，
如果设计和仿真基本对的话，最多是超小概率事件；
如果BJT偏置电流密度设计好的话，电阻决定BGR电压温度曲线开口方向事件的发生概率应该为零。