微波EDA网,见证研发工程师的成长!
搜 索
首页
微波射频
射频和无线通信
天线设计
硬件设计
PCB和SI
通信和网络
测试测量
应用设计
研发杂谈
研发问答
首页
>
研发问答
>
微波和射频技术
>
RFIC设计学习交流
> 关于增强型与耗尽型
关于增强型与耗尽型
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
这两种管子,有什么不同的应用?
平时书上讲的都是指的增强型吗?
是的,平时设计用的都是增强型的,
他们不同的地方是阈值电压。
做超低功耗离不开耗尽管
为什么?
上一篇:
差动运放两路的频率补偿不对称会怎样?
下一篇:
设计带隙基准的时候,加入运算放大器后,运放两输入端电压与预期不一样且两端相差较大!
增强型
耗尽型
相关文章:
求助耗尽型MOS管的版图和增强型的一样吗?
关于瞬态增强型LDO的问题
增强型的威尔逊电流镜和级联的共源共栅电流镜
提图的时候耗尽型的管子和普通CMOS管可以区分开来吗?
有仿真过耗尽型MOS管的吗?
栏目分类
移动通信
微波和射频技术
无线和射频
PCB设计问答
硬件电路设计
嵌入式设计讨论
手机设计讨论
信号完整性分析
测试测量
微电子和IC设计
热门文章
大家在cadence中怎么测试电路
PMOS管的小信号模型与NMOS的相
constant gm偏置电路有什么好
Cadence IC 615用MMSIM12.1
hspice 中瞬态仿真(tran)使
用HSPICE仿真LSTB问题
hspice 2013 错误invalid
hspice 波形仿真显示no dat
Copyright © 2017-2020
微波EDA网
版权所有
网站地图
Top