有仿真过耗尽型MOS管的吗？

睡前一顶

估计大家都用增强型的了
真不知道这耗尽型的怎么仿呢

我们倒是用到了，不过模型是代工厂给的
csmc0.6工艺就有，n型的，里面只有一个corner的model，和普通nmos的主要区别是vth0是负的，但最终的管子特性还要和代工厂协商，调调注入浓度
HHNEC1um的耗尽model规定了尺寸，好像是W/L=2um/10um，还有tt,ss,ff的corner，还没流出去，不知道效果怎样！
不知道小编是不是想自己写model，周一上班，仔细研究下再回答你吧！

好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好

继续ding起来啊

如果是n管，把阈值改成负的就可以了

如果工艺不提供你仿了也没意思，如果工艺提供了，应该用工艺模型就可以直接仿了

最近要用耗尽管做电路，有谁知道哪里有相关的资料不

很多工艺里都有耗尽管，CSMC,TSMC,SMIC，看你用耗尽管做啥电路了，对耗尽管的阈值要求高不高，比如用它做基准就必须好好测测了，我用过上华的0.6耗尽管做过基准温漂的厉害。

你好，我最近也在用CSMC的耗尽管做基准，
仿真的效果还不错，包括3V-5V的电源调整，全工艺角仿真达到60ppm，不知道LS电路结构是一样的吗?还是仿真效果可以，工艺厂商的原因导致流片效果差?

我用CSMC做了一次E/D NMOS基准结构，仿真效果很好，实际测试结果很一般，这种结构的温度特性，用仿真结果不准，主要是温度模型建的不好。如果有人也用这个结构做过，我们可以交流交流

你的意思是说CSMC模型不够精准?

请问反相提图，照片上耗尽型管与增强型管有何区别?

学习，学习。

阈值本身没有太大意义，通常加工厂都有能力按用户要求调整，耗尽管与增强管的关键区别就是阈值电压，N管改成负阈值就可以了