电容的疑问

你说的是源漏衬三端接地吗?电容的大小应该主要看器件的尺寸了，由于PMOS做在N阱中，而NMOS做在衬底上，故电容可能会有一些差别，但这个影响应该不大吧。

恩，是那样接的。那相同尺寸的PMOS管和NMOS管呢?我看到有一个芯片里面的对地电容全部都是用PMOS管做的。

一个解释：
用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好

那为什么PMOS的电容会比NMOS小呢?

一个正偏，一个反偏

一个耗尽，一个积累

这与工艺有关了，P型衬底中已有P型掺杂，而在形成N阱时，又会进行一次N型掺杂，且掺杂浓度更高，这一方面导致晶格收到一定程度的破坏，另一方面，由于该MOS管电容利用栅氧化层下面的反型层存储电荷，而置于N阱中的PMOS反型层中的是空穴，空穴的迁移率低于电子的迁移率，这也使PMOS电容存储电荷比NMOS慢，最后，PMOS的阈值电压比NMOS高，所以，同样的压差下，PMOS电容不如NMOS。
如楼上所说，当二者的源漏衬都接地时，PMOS正偏，NMOS反型。