LDO方面知识求助。

大家好。我急需一些关于高压输出（可设置6-40V）驱动大电流LDO，请问有相关资料可以共享吗?主要难点是零极点以及PMOS 如何驱动 VGS〈5v，loading电流大小通过NMOS下拉电流通过1KHOMS电阻产生VGS来调节。如附件所示！

pmos 外置PMOS。输出电流0-几百毫安

系统的构架你已确定?

LDO driver

架构有点奇特

这个架构有问题吗?请指教?

你是什么工艺?纯MOS工艺吗?准备用在什么地方?

厄，这个电路画的太。
大家看看我画的这个是不是一样的，我这样画大家都该知道是什么结构了吧?

没有错哦。 那只PMOS是外部MOS gm 非常大。输出大电流时达到1A/V。请教下如何调这个电路稳定性。

当轻负载时候。 输出极点与PMOSgate的那点极点非常接近。gm大概10mA/V,mill 补偿不明显。 两个极点非常靠近！ 不知道如何补偿。mill 电容：220n Cout100nRL:10K p1: 1kohms*220n*10mA/V*10kohms
P2 =330nf*10Kohms该3级gain 也不低。

你的给我们看看整个电路，尤其第一级是怎么样的，如果你第一级的gain比较大，这个的补偿可能是真不行的。

你描述的感觉还不是很清楚。我看你的参数只能猜测：
Cm也是外接的。不是片上集成的?
道理上讲，这种补偿轻重负载是会有个主极点的切换过程，很轻的负载时，应该是输出电容为主pole。重载是米勒效应显著，输出等效
电阻减小，主极点在内部。
按理，这种结构两头都是好调的，反而是不大不小负载很容易出问题。
你这个结构，有两个地方要再想想
1、米勒电容 220nF，这么大的电容，米勒补偿中的右半平面零点，该怎么处理。
2、外接mos的栅电容比较大，而且存在mos管不同选型的问题，栅电容带来的pole可能会在一个大的范围变动，这个也比较麻烦。
所以第一级的结构很重要，最好show出来给大家看看。
另外这个LDO的BW应该会很小，瞬态响应应该会比较差。
还有,
1kohms*220n*10mA/V*10kohms
这个计算不一定对，取决于你给这一级多大的电流，电流很大的情况下，nmos等效的输出阻抗可能是小于1K的
以上只是猜测，LDO的讨论最好应用范围和想要达到的指标和电路都有个大概。

Cm上面再串联一个电阻，R1的两端并联电容，这样的拓扑可否?

highlight 部分是我将要设计的。其余是外部应用电路图，外置的miller以及PMOS。外置MOS选型固定。现在就是想插入一零点最好与输出电流有关系，一起移动更好。
1kohms*220n*10mA/V*10kohms
这个计算gm是根据这个管子流过1mA的电流时的gm。 该PMOS的RDS我认为比较大，输出阻抗是RDS//ROUT。所以以Rout近似。

谢谢你的回复/ 第一级以及补偿是我正要设置的。外围应用是固定的！