微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 关于PMOS为pass管的LDO

关于PMOS为pass管的LDO

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
PMOS为pass管的LDO,怎么考虑PMOS寄生电容CGD的米勒效应?

弱弱得问一句,这是一个米勒电容吗?
怎么感觉没在论文中提到呢?有前馈的作用,但是反馈不是通过这个电容吧?
如果前馈和反馈同时存在,直观看是存在米勒电容的,个人理解哦。

理论上是米勒电容。输出级之前一级要加一个buffer,把栅极产生的极点推远。如果你的输出级这级增益不高的话这个米勒电容影响不大。

为什么没有反馈作用呢,CGD直接跨接在G、D之间啊。

对啊。如果是米勒电容,那在输出端看到的阻抗应该也要考虑CGD影响啊,可是我平常看到的论文都没有考虑这点的。很费解啊。

cgd of transistor in saturation......

因为输出端通常都有片外电容的,CGD等效电容相比而言就可以忽略了;有一些补偿方案是利用这个米勒效应来作补偿,即在G,D端加电容补偿,这里也要考虑米勒补偿引入的RHZ.

LDO输出级的增益是不大的,否则米勒电容的影响肯定很大,PMOS做调整管的话输出阻抗是分压电阻与rop的并联,输出级增益不大,再加上buffer的输出阻抗小,所以米勒电容对前级影响不大,对后级有输出接片外电容的的话这个米勒电容没啥影响,如果输出没有片外电容的话,我觉的这个是要虑的。

嗯,你说的很有道理,LDO负载端接的输出电容通常比CGD大5~6个数量级。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top