工艺角对带隙基准源的影响
时间:10-02
整理:3721RD
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大家好,我最近在做个带隙基准源,做了工艺角仿真,但是结果不好,在tt下还可以,但是在ff ss下就不行了 ,不知道该怎么调整,希望哪位大哥能帮帮我
谢谢谢谢
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工艺角是否包含BJT corner?如果包含了有偏差倒也正常。
如果不包含BJT,那就有点问题了,还是检查一下运放在corner下是否正常工作请问你这是电阻的corner还是BJT的corner
BJT和电阻都有Corner温度曲线是一定要抛物线型吗
这个曲线很正常
为了TT好
SS FF也就只能这样了哦 我这个带隙基准源是用在DAC中,一般还需要观察什么参数
我做这个带隙基准输出支路电流只有1uA,是不是太小了,我用的是中芯。18工艺,3.3v电压
+-20mV对corner来说是正常的,要好的初始精度加trimming
这个现象显然不对的,仅仅是mosfet的 tt,ss,ff (不包含电阻和bjt的corner)的话,三条曲线应该重合。
你的结构造成的。电流镜的调制效应是主要原因之一。镜像电流至少要用cascode。我添加了电阻和bjt的Corner
我咋看不出问题呢
BTW,你的电流源也需要一个start-up电路比较保险
给DAC用的话,取决于你整个reference架构,有可能还需要个buffer建议trim
学习了~
看看
学习学习了!
你好!为什么如果只有mosfet的ss、ff、tt下,输出基准基本不变?我看了一下工艺库文件,在ss、ff下阈值电压变化也有40mv左右,难道阈值电压对基准输出没有多大影响吗?
没有。bgr输出表达式里面不含vth这个变量。
MARK一下