请问有实际制造经验的高人，要求两个MOS管比例为一，比例可以做的很精确吗？谢谢

请问有实际制造经验的高人。
要求两个MOS管比例为一，但绝对尺寸不严格要求。
比例可以做的很精确吗?精度能达到多少。
（我看书上说可以做到比例很精确，但到底精度如何，我对此一无所知。）
是尺寸大点比例精度高呢，还是比例精度与尺寸无关。
请问有没有讲述这方面的书或文献。谢谢

没有等到回答啊，自己顶一下，继续等。

两个管的mismatch好像有一个公式 A/sqrt(WL)。A是一个系数，WL是管的宽长。管的面积越大mismatch越小。详细的可以参考这个文章 1989 JSSC, “Matching properties of MOS transistors” by Marcel J.M. Pelgrom。

看看sansen的那本《Analog Design Essentials》，里面讲到了管子的失配。

谢谢楼上的答复

谢谢诸位的解答。

which parameter do you care about?

＃3以上的回答是唯一有效的，如果一个共同的质心的完美布局设计完成。由于梯度晶片上的晶体管的尺寸增加（他们并排放置，即没有共同的质心），比规模增长匹配点后得到worser，因为两个晶体管的中心，成为远的渐变效果占主导地位。因此，除了pelgrom式的布局效果和渐变显示其效果。Pelgrom公式一般一阶确定共同的质心的设计和接近晶体管。

你还是说英文把，我们能看懂，但是你翻译后，就看不懂了。

MOS管匹配的精度，不仅仅是尺寸，还要看应用的场合。
比如，MOS管作为运放的输入对管，它们的匹配精度一般做到比较高，严格的场合会做到千分之五。一般，在电流为5uA级别时，W和L大约分别取最小尺寸的20倍和4倍，vdsat取100mV左右，个数4:4，版图采用二维同质心布局可以达到这样的精度。MOS管做电流镜时，Vdsat对镜像的精确度影响很重要，而Vdsat往往受限于电源电压，是一个很难提高的值，一般取200mV左右，尺寸取大点，镜像精度可低于1%。
个人观点，仅供参考。这些参数的选取与工艺的参数有密切的关系，需要按实际工艺参数来取值。
这里的精度指的是它们的失配比例。

你可以参考一篇2003年的jssc论文understandingmosfet mismatch for analog design

谢谢解答，非常受益。
顺便也谢谢楼上诸位，非常感激。