sansen书上第58页gain boosting共源共栅放大器的一处疑问

这是sansen的第二章中一个PPT，是gain boosting结构。他在最后一段说：“反馈放大器的另一个优点是中间节点(M3的栅极)的阻抗按反馈部分增益的倍数来减小。”

阻抗的确减小了(1+gm3r03)倍。但是这能算什么优点呢?乍一看，这一点的电阻减小也许会增加由这一点造成的非主极点的频率，进而可以增加一点相位裕度，可是M3的漏极与栅极之间的电容Cgs2和Cgd3会因为密勒效应增加gm3ro3倍，从而这个节点的时间常数不变。那么sansen说的优点到底是什么?
以下是我的猜想。不知对不对。
第一个优点，也许可以增加共模输入范围(如果用做差分对)，常规的共源共栅结构中，M2的栅极是被偏置在固定的电压上，假设vin=900mV，vth=700mV，若刚好使M1偏置在饱和区，那么M1的漏源电压是200mV，现在稍微增加vin，那么由于偏置电流不变，为了维持电流平衡，M1的漏极电压会显著下降，从而进入线性区，减小了跨导。现在使用gain boost结构，由于M1的漏极向上看去电阻很小，所以稍微增加vin后，M1的漏极电压仍然维持在大约200mV左右，没有显著下降，从而M1管的跨导基本没有变化。这是第一个优点。
第二个优点，众所周知增益是Gm*Rout，Gm是输入晶体管M1“分流”到输出节点的等效跨导。在常规共源共栅电路中，算Gm时，Vout接地，输入晶体管的gm1vin要被1/gm2和ro1还有ro2分流，流入1/gm2和ro2电流才对总得Gm有贡献，在gain boost里，由于1/gm2变为1/(gm2*(1+gm3ro3))，所以等效Gm与gm1的误差进一步减小，从而增益提高了。

以上是我的分析，不知道合不合理，我始终想不通这里的优点到底是什么玩意，阻抗低怎么成了优点了，欢迎大家前来讨论。

降低中间点的电阻可以减小M1管的增益，从而减小了M1管Cgd的米勒效应，会增加点儿带宽

小编就是小编！凭直觉和经验一眼就看出来了！膜拜呀！
我只考虑了在那个结点产生的非极点的影响，没考虑输入极点的影响！

向大牛学习

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我也是电子科大的，我现在研一，大牛您呢，我在微固学院。1759915280，QQ号哈，加我交流方便哈。

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1)增益提高主要是输出电阻提高，见regulated cascaded current source 的输出电阻；M2的漏端看到的是串联负反馈的的输出电阻，M1的引入提高了回路增益；
2）M1的漏端看的是并联负反馈，该节点呈现低阻抗，可以减弱M1的米勒倍增效应；M2的源栅增益为1，M3的栅漏短接，该节点电阻为1/gm3;
3）M3的栅到漏的增益是gm3*((1/gm3)//rds3),Cgs2的米勒倍增因子较低，对带宽影响小；
4）M3的存在会影响建立时间；
5）请教一个问题：M3的栅到漏的增益是反相；M2的栅到源的增益是同相，评估Cgs的Miller效应时，用哪个呢?或是本电路中信号的流向是M2的源到栅，M3的栅在输入方向上，取反相增益?请不吝赐教。
仅供参考。

1.当要考虑M1的Cgd的miller effect时，辅助运放的作用早没了，谈什么降低miller电容?
2.你的第一个问题，当没有regulated amp时，M2的source点电压根本不会因为M1的gate电压提升而下掉，因为M2的gate端已经被拖死掉了。M1的gate上抬，仅仅会使得M1的source往上抬。

米勒倍增因子就是gm3ro3，这个没说的。如果电压源加在M3的漏端，则是1

大哥，M1的source接地啊

1）G=-gm3;
2)Rout=(1/gm3)//Rds3;
Av~1;

没错吧，太打击俺的自信了，呵呵

问个额外的问题，lz能解释下264里讲的极零点对是怎么产生的么?3q。

高频时，Agb一定会衰减，这样频率非常高时，gain boost 的增益与频率曲线一定会和无gain boost结构增益频率曲线重合，但是他们的主极点的位置却因gain boost 低频增益很高的原因有很大差异。这样就会出现零极点对。

可以看看格雷的关于零极点对分析的经典论文。

是“运放的频响与建立时间关系"那篇么?
3q

很有启发3q

是滴。

哦 谢了

与millier cap没关系，就是为了增大Rout！
只是减小M2 source电阻（由1/(gm2+gmb2)变为1/(A*gm2+gmb2)），M1 drain电阻不变（还是ro1）。
使ac current尽量流入M2 而不是ro1，增大小信号输出电阻 ！
GRAY书上有讲！

格雷书忘光了，艹回去再翻翻