MOS管小信号电阻

这是电路中的尾电流管，在不同Vds 下gds分别为 347.8和249.3n在饱和去Id一定的情况下 小信号电阻ro大概是个恒定的值，可是这里两者阻值相差1M多， 请问这是半导体中什么效应引起的 （ Vds越大 ro越小（饱和区Id近似不变的时候），我可以这么理解吗?）

不应该是这样的吧，gds我没有遇到过这么大的。单位看错了?

沟道调制效应，使Id与Vds相关，导致，gds不稳定，理想情况下，gds=0，ro无穷大。

我也认为是这种效应，可是图上尾电流管在两个不同VDS下 Ids基本上没有变化啊，可是gds变化很大， 和速度饱和什么的有关系吗?

没有看错单位，这个小信号电阻ro大概3~4M欧姆我不明白的是Ids基本不变的情况下 ro变化这么大。

Vds电压与饱和区沟道pinch off长度非线性引起的。

Vds越大，实际上得到的pinch off长度越小，因此对饱和区电流影响越小。
看看施加反向电压的二极管电压与势垒区宽度的公式就知道了。

簡而言之channel-length modulation,就是Vds增加造成pinch-off點變動深入channel,其結果就是
有效通道(effect channel length)變短了！

谢谢！

谢谢！

不对的，你说的就是沟道调制效应，随着vds增加，有效沟道不仅会减小，其减小速率也会减小，导致的的是ro增加，而不是他说的ro减小。
这是VDS过大导致漏极导致势垒下降，沟道电流增加导致ro减小。

不对的，你说的就是沟道调制效应，随着vds增加，有效沟道不仅会减小，其减小速率也会减小，导致的的是ro增加，而不是他说的ro减小。
这是VDS过大导致漏极导致势垒下降，沟道电流增加导致ro减小。

不对的，ls说的就是沟道调制效应，随着vds增加，有效沟道不仅会减小，其减小速率也会减小，导致的的是ro增加，而不是他说的ro减小。
这是VDS过大导致漏极导致势垒下降，沟道电流增加导致ro减小。再大一点还有漏到衬底电流，更加减小ro。
速度饱和是VDS大到夹断沟道之后，ID不再随VGS呈现2次方而是线性关系，是gm的变化，和ro无关

非常感谢，明白了！

拉扎维16章有这个介绍，看书还是不够细致，感谢指教！