如何理解共源共栅结构有助于改善电源抑制

M64漏看到下面的电阻1/gm，上面的电阻因为cascode增大了，所以vdd的psr变好了，vss的psr从右边那路看类似

分析的有道理，不过psr为什么只从一边看呢，不是应该两边要同时考虑吗?

嗯，是都要考虑的，比如在直观看vdd 的psr时右侧的一路中，M63漏端向上的电阻本身就很小(1/gm)，这使得vdd上的噪声几乎都能在M63漏端出现，你可以计算一下这时右侧这一路尽管下面NMOS增加了cascode但是这一路的出现在M63漏端的电源噪声和不加cascode时相比约为1，换句话说右侧这一路的cascode并没有让M63漏端的电源噪声增加；而左侧PMOS增加的cascode却让出现在M64漏端的电源噪声比不增加cascode时小了约gm*ro倍。vss的psr也类似。
这些都是直观上的看低频的psr，实际上关注一下电源上可能出现的噪声频率范围比关注低频的psr更有意义，cascode的加入也会让psr的极点更加的低频。
为了得出更加精确的关系，小信号的模型肯定是最好的了。

楼上几位已经解释的很详细了。就不多言了。

谢谢你，你分析的很好，只是有一点我不太明白，就是M63漏端的噪声加入cascode和不加cascode时相比差不多，而M64漏端的噪声加与不加cascode却发生了很大的变化，左右两支路的情况是类似的呀，怎么会有这么大的差别呢?

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