问下overdrive to 3.3V的管子和3.3V的管子有什么不同？

自己顶一下

现在90/65/45里面好像没有专门去做3.3V device了
都是2.5Vod33的device啊
od33的MOS要求L会大一些，其他和2.5V没有区别，其实就是L大一点的2.5V MOS
2.5V MOS 的gate oxide不会被3.3V breakdown，但是当minum channel length时会punch through
所以要L大一些的

你是说哪个工艺库?TSMC orSIMC

这个头一次听说，0.13um工艺中有over drive管子吗?

这个头一次听说，0.13um工艺中有over drive管子吗?

没有用过.13的工艺，刚才特地看了一下smic13的库
是一个1.2V/3.3V的工艺是，提供的1.2V/3.3V device，所以没有over drive device

晕,OD不是超频，OD的 device会更慢，而且低压device没有见过OD device的
2.5/3.3 因为差别不大，为了节省成本，保持工艺/器件通用性，才做over drive device的

是不是可以这样理解：这种device的栅氧厚度呢，还是与传统的3.3V的device的栅氧厚度相当，只是光刻的时候，栅极长度可以做成0.25um，这样工作在2.5V时，速度比0.35um的管子快一些。而如果要工作在3.3V，就将L增大到（比如）0.35um，就可以工作在3.3V了。
如果是这样，还真是个好办法。

是这样的,
tsmc65nm的 1.8V/2.5V/3.3V的device都是一样的，toxn=56A,toxp=59A，都是基于2.5V的device
1.8V 的叫 25ud18，就是2.5V under drive 1.8V，Lmin可以小一点
3.3V 的叫 25od33， Lmin要大一点
就这么点差别
SMIC13 的3.3V devcie tox=7nm，是挺标准的3.3V device

谢谢啦。

想不到也讨论了两页了，真是多谢大家的回答了！

学习，学习……