运放的mos管参数如何优化？

如图，结构是折叠共源共栅2级结构。为了先做出结果，4个偏置电压直接用的理想电压源。按照基本方法设计仿真增益才78db。带宽才3.7Mhz。然后是优化。为了提高第一级增益，于是想提高差分对的偏置电流源的Id为以前的1.5倍，也就是从10u提升到15u，这样偏置电流源也就是PM0宽长比增大1.5倍。电路最下面的2个电流漏则宽长比不做改变，它们提供的是20u的电流，这种情况下，共源共栅电流源负载的宽长比减小一半，电流则也应该减小一半，从10u降低到5u
可是经过这么修改后。电路就无法调整到正常工作状态了。
昨天调整了很久，不知道是否得重新计算参数了。一个管子的Vds随着Vbias慢慢变大，但是另一个肯定就会变小，想让他们同时饱和区就很难。
偏置电压调高一点，下面的mos管就线性了，调低一点，上面的mos管就线性区了，我用Vbias作为参数扫描，结果发现要想使2个管子正常工作，就必须给出一个特别特别精确的数值比如487mv，但是这样子第2级放大管居然变成线性了，这里Vbias指的Vbias3，2个管子分别是NM3.NM0，即使这么简单的电路也调了好久，不会阿，有没有朋友能指导下，思路是什么，我第一次调电路，请不吝赐教。
饱和区MOS管VDS的值是不是无法确定，因为如果可以确定VDS我觉得把管子调节到饱和区还是比较容易的，书上也没公式，除了那个包括沟道调制效应的饱和区公式

飘过！

偏置电压最好还是用Bias电路提供，用理想电压源仿真并不好控制MOS管的工作状态

好的，多谢

第一，用电流来偏置
第二，确定各级gm和rout，重复修调

不要用电压偏置，最好用电流偏置。

最好有共模反馈

飘过……

有点难讲。

，学习了