请教MOS电容和阱电容的区别

N阱电容就是N阱与栅之间的电容，只有反向积累区和耗尽区，耗尽区电容很小
mos电容正偏时靠得是沟道区反型层构成下极板，此时单位面积电容很大

比较N阱电容和一个源漏和衬底相接的PMOS电容，似乎没什么不同 , 除了PMOS多两个交叠电容。
正偏时，两者都可工作在积累区。反偏时，两者都可以先工作在耗尽区，接着是反型区。
不知道这个想法对不对

很多工艺已经不提供N阱电容了。

学习了

我也是这样认为的,
但是一般工艺厂,都是提供N阱电容,而不是PMOS电容,感觉很奇怪.

如果在很宽的柵电压变化范围，所看到的电容值的范围两种情况下应该是基本一样的，唯一的差别是相同电容值出现在不同的柵电压偏置条件下，如果电路工作条件下，MOS始终在反型区（或累积区），两者差别不大，如果有些情况下一般MOS管电容不能确保在反型区，电容值可能会变得很多，这种情况下如果希望看到比较恒定的电容值，用NCAP可能电容值往往变化会小一些。换个角度，也可以认为，两种结构的主要差别是阈值电压不同。应该根据应用环境去选择合适结构。