相同参杂浓度的pn结，耗尽区宽度与其电场强度的关系？

这个没法比，耗尽区中电场强度是渐变的，越靠近结处电场强度越大

那为何pn结雪崩击穿时，
耗尽区自己的电场没有破坏到共价键?
而是因为加了大电压，载流子跑过较宽的耗尽区后的高速度撞击共价键使得产生雪崩?
难道在轻掺杂时候较宽的耗尽区的电场强度没有重掺杂时候窄的耗尽区的电场强度大?

想想穿过的电力线哪个那地方多，就明白了。

对，由近及远渐弱
中间电场强度最强
那雪崩击穿和齐纳击穿的区别是?
我的问题是:为何低掺杂小反向电压没有齐纳击穿?

那雪崩击穿和齐纳击穿的区别是?
前者是高掺杂低压，后者是低掺杂高压

我的问题是:为何低掺杂小反向电压没有齐纳击穿?
因为低掺杂耗尽层还不够小，小电压提供能量不够价电子隧穿

有点意思！