终于毕业了，介绍一下自己并请教国内就业的问题。
---关于补偿那部分，我正准备写篇论文。教授建议申请专利但拿不准，因为基本原理是共知的。( 不知哪位有这方面的经验，请传授一下。)
---我等几个月拿上毕业证书就回国。
诸位能否指点一下，像我这样没有实际设计经验的在国内找工作情况怎么样(而且，我年龄也比较大了)? 有那些厂家或公司是搞放大器的以及招聘信息如何查找等等诸如此类的信息。如果方便的话，请回复一下或发邮件给我( qingtongqi_2009@yahoo.de )。
先谢谢诸位！
wish！
哈尔滨圣邦微电子专门做高性能运放
月入5K左右
多谢多谢
多谢多谢
电路tape out 了?测试还ok?
为啥连续时间ADC 需要那么大得dc gain?
先试试发paper吧，专利是没人用你得，你申请得也没用
我做的只是ADC中的一部分。
做了Layout。但并没有专门为这个放大器去做个芯片。
我现在刚开始看连续ADC的资料，所以想请教一下楼上的，
为什么连续ADC中DC增益就可以小些呢?
(我是这么理解的。按照放大器的定义，增益越大越好，理想的为无穷大。
我是通过改变电路结构来实现增益提高的，并没有专门的用到额外的增加增益的
电路，不然功耗会增加。)
谢谢。
wish！
呵呵，透露一下，什么结构呀?
人才啊~
功耗多少?
德国经济危机严重，奇梦达又破产，唉
看贴要顶贴！
功耗大约为3mW。
我用的这个0.25um 工艺实际并不太适合做低压的东西。
如果用其它更短沟道的工艺。我估计增益大概要降低些，
但功耗也会降低些。
谢谢诸位。
还是不要回国啊。
专门做opamp的好像很少吧
最近国内的很多IC公司（外资、内资、合资）都不招人，猎头也没饭吃。估计回来找工作不会太容易。
不过，还是恭喜你毕业了！
LZ读的是授课型还是研究型硕士?
小海龟其实最好的出路一是高校
但现在高校基本只要博士
而是外企
三是自己搞，但这种最好在读书期间就跟老外风投的人有接触
而且已经有了相当的技术，人脉积累，对市场也有相当的认知
。
所以，选2还不错了
回18#，德国综合大学毕业相当于国内的硕士。
看来回去也不一定找的着合适的了。时候好像不对。
谢谢诸位回复。
不行就回国找块儿地种粮食去，只当是出国玩了一趟。
3mW还叫low power ?
增益越大越好?
小编对一些系统级的概念还有欠缺，如果只会设计不会应用，设计出的东西只有学术价值而没有应用价值，还得补补课呀！
功耗是和工艺及VDD有关的。我说了我用的的是
0.25u 的工艺。能否请楼上的解释一下，增益大了为什么不好?
GBW跟耗电相关，如果你功耗定了，更大的直流增益也就是更小的3DB带宽
在高于3分贝带宽的频率，也就是说你的环路增益已经小很多了
楼上的是否可以解释的详细些。
我是这么理解的，
对积分器而言，运放增益越大，可积分范围就越大。
理论上的推导，可参考一下Allen的书，上面有解释。
已经有两位说运放不需要那么大的增益了，我对此的确不明白。
我看IEEE上的文章，有的放大器设计甚至用专门的电路来增大增益。
有哪位是否可以解释的详尽些。
谢谢回复。
10bit ADC opampopen loop gain 大概78 dB就可以了
以前.18um的用gain boost opamp做80～90dB没有一点问题问题
所以做个14bit ADC的dc gain还是够的
要dc gain 大就gain boost 再讨gain boost，做个120dB没什么问题
只是一般大家用不到了而已
宽长增大相同倍数的时候单位增益带宽和功耗都是近似不变的，但是你做运放还是要看3db带宽的吧
谢谢25#的解释
答26#。重要的是Av 和GBW，3dB 带宽不重要。
最终功耗的大小是由多种因素决定的。
谢谢回复。
3dB不重要?
有很多专门boost 3dB带宽的技术，在同样的GBW和功耗还有直流增益前提下，完全改变了常规的运放magnitude response plot shape。
照你这么说人家花这么大力气的工作就是无意义的工作了?
如果3dB不重要，那么理论上我可以做出一个GBW和功耗都不变，增益超级大，但是3db带宽超级窄的运放。
其实很多90nm下运放可以很容易做到600Mhz 以上GBW， 60dB以上dc gain，功耗小于0.9W.
0.25倒确实是会高一些。
抽象的去比较功耗而不看工艺及运放的功能是没有意义的。
设计运放时更要依据所给出的指标。
对按照GBW或按照settling time设计的功放性能是肯定不一样的。
所以应用不同，着重点也会不同。
对用于积分器的运放而言，重要的是它的有效的积分范围。
这个范围是:10*fu1/Av(0)～fu2/10
(fu1: 积分器的GBW,fu2: 运放的GBW)
所以，在这个应用中，3dB 带宽不重要。
我估计楼上的大概是没在意我设计运放的用途吧。
看来楼上是很有实际经验的，很高兴看到你的回复。
如果觉得我的理解有什么偏颇之处，请指正。非常感谢。
不知道楼上所说的的600MHz, 60dB，90nm工艺的运放是几级运放。
功耗是0.9mW还是0.9W?
补偿方法是什么。
能否解释一下?
谢谢。
小编，CT sigma-delta 也不需要那么大的DC gain.
高DC gain 指是让integrator 低频更象integrator。
120dB gain, 会让NTF在低频的时候可以继续往下减，比如说可以到-100dBFS 的level
但是大部分时候，电路的thermal noise 会远高于这个-100dBFS, 覆盖了quantiztion noise floor.
所以实际系统可能120dC gain 看起来跟80dB gain 效果差不多
而且，如果是高阶CT sigma-delta, 对DC gain 的要求就更低了，因为每个integrator 的DC gain 是叠加的。
600MHz 60dB GBW 的amp, 一般就是0.9mW 吧，二级，一级都可以做的出来。