capless LDO的反应时间（reaction time）

在0.35um工艺下，做到5nS是否有可能?
问这个问题的原因是：反应时间与Load capacitor成反比，反应时间越短，需要的Load capacitor就可以越小。从成本考虑，越小的Load capacitor是越好，但是在0.35um工艺下，5ns的reaction time是否可行呢?

没有经验，等高人介绍。

建议去搜索一下同类产品。
了解一下，如果别人有卖，那就有可能做出来。
别人没卖，那可能性就不大了。

只要电流足够大，应该是可行的。

基本上没有可能,ns的transient response要求环路带宽过高,需要的电流过大,不现实

学习了

一般来说,这种类型的LDO可以在AC和TRAN上进行分析,在AC域上其GB越大,则在TRAN上的反应时间越短,而且VOUT的瞬时最低值会更低,但是LDO得EA需要消耗更大的电流.

反应时间与Load capacitor成反比,有点片面吧，还要看Iload需要多大

对，那个公式中有Cload，delta t, Iload,max,以及 delta V。
我这里已经知道能够允许的delta V，以及 Iload，所以关注的是Cload 和delta t的关系。

没搜索过产品，但是就我搜索的paper来看，能够做到4～6nS的仅看到一篇，而且还是65nm的工艺。
如果是产品的话，一般都是LDO芯片了。外面挂的电容一般在nf量级，所以对reaction time的要求可能不高吧。

电流当然不能过大了。100uA量级的ground current 是可以接受的。

谢谢，这个倒是知道。时域和频域只是对同一个东西的不同表征。5nS的时域相应，对应200MHz的带宽，确实很大。