在对带隙基准源进行参数提取时遇到的问题

小弟最近在画带隙基准源的版图，在用calibre的pex 进行参数提取之后，选择了calibreview 生成端口符号的形式进行后仿真，但是在生成calibreview时，calibre要求我要对一些器件进行“map Calibre Device”。然后我的疑惑是要进行c和res这种非常普遍性的元件进行map的时候，我不知道选择什么了，如果选择analoglib里面的理想电阻的话，后仿真的结果跟实际偏差实在是太大了。我们原本想输出1.22v（5v电源）的基准电源，后仿真却变成了4.8、4.9v。但是如果你把这个res map到工艺库的某种电阻，后仿真就正常了，但是根据你map的种类不同，结果也不同，而且我们的带隙基准电路中又有各种各样的电阻，也很难选定是哪一种。于是，对于这个res的选择，我是不知道在calibreview这样的方法下我有哪些没注意?

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