MOS的threshold voltage 与 channel length的关系是怎么一个曲线？

做L VS Vth曲线的时候，要注意VDS不能变。否则得到的结果相差很大。
相同的Vds条件下（Vds不能太大），对于小的L，一般由于D和S扩散结能镜像与沟道多子相同的载流子，这样减小了所需要的Vth。所以L越小，Vth越小。但是随着L的进一步增加，这个趋势变的不明显。一般比较容易在小于0.18nm工艺下观测到。
不知道怎么说清楚不?

谢谢你
但是为什么有的process 结果却是相反的呢?就是说L变大，VTH反而变小。
即使教科书上，不同的书也有不同的结论和曲线。

下面这个曲线可供参考：

嗯，上图是比较传统的roll off curve，比较常见于0.18um的工艺中。不过在现代工艺里面，因为沟道越来越短，halo注入引起（就是上面图里面的lateral nouniform doping）的reverse效应越来越大，所以一些65nm或者以下的制程里面是L越短，VTH越大的

多谢
请问这图出自那本书?

严重同意，确实有这个现象。

我是从一份培训教材上摘来的，呵呵，没注意版权。

顶一个，

长见识了

不错不错

多谢楼上各位。
只是不知道有没有相关介绍的paper.
还想了解具体一点。

gooooooooooooooooooooooooood

good，以前用0.13um也碰到这种情况

nice...