求教, 如果要写一份有关LDO的毕业论文, 有什么题目可考虑？

低压、低功耗。例如应用于1V以下的。

加一条：当vin>2V vout=1.8V, 当vin<2.0V, vout与vin短路 且vout不能小于1.65V。

偏理论一点的话，可以研究一下多级放大结构下的频率补偿，高增益、高带宽。
偏工程一点的话，可以研究一下Die Size和输出电流能力之间的关系。

全片上的高psrr（高频处） LDO

为什么1V以下呢?是因为大部份的portable devices
用1V以下吗?

这个题目，我不太明白哦....

是否在一般情况下，多级放大结构下的频率补偿会比ESR和dominant pole的好?

Die Size vs 输出电流能力太困难了，没有足够资源给我做呢.....

频率补偿会更难，但是性能会更好。2楼说的也没错，1V的LDO也是一个发展方向。

低压降，高抑制比，低噪声LDO

低功耗，高动态范围，高psrr，等……