cap_free LDO

现在已经有非常多的无电容型LDO论文
但发现这些论文在测瞬态特性时
都把负载或输入变化时间设在了us级别
那要是在ns级别的话,变化不知道会不会很大.
感觉现在无电容LDO瞬态特性成了一个重中之重的问题点
大家都有什么好的想法?

关键是capfree LDO到底在实际中有什么好处?贴片电容已经很便宜了，
而且load transtion capfree 一般都比较差，花精力做capfree的好处是什么呢?
可否有人指点一下

NStransient analysis is importnat, as you see clock syncnizebaseloading changeat clock edge for>10Mhzclcok speed, loadingtransient should be nS, not to say> 100MHz system.

片上集成的电容成本相比更低，而且可以省去一个引脚，pcb上也会节省面积吧

节约面积吧

goooooooooooooooooooooooooooooood