请教VCO负阻管的设计！

      在设计一个nmos和pmos互补的VCO的时候，发现根据公式 (Gn+Gp)/2>=Rp 和 (W/L)= G^2/(2*U0*Cox*Iss) 所计算出来的负阻管尺寸不能能tank振动，我已经考虑了设计余量，余量为3；必须把W/L调节到很大才能实现振动。为什么会有这么大的差距。  
      另外还发现tank不是以Vdd/2为中心振动,要怎样设计才能实现以Vdd/2中心振动?

自己顶一下，希望各位高手不吝指教！

计算的数值永远不准确！
用DC跑仿真，看相关参数！你就会明白！
不再中心处，那你需要更改Cvar以及加上并联的补偿电容！这样多跑几次仿真，就会把f设计为中心点上！

(Gn+Gp)/2>=Rp ?
这个公式我不太明白啊

这个是什么公式“(Gn+Gp)/2>=Rp”?
弱问下，你的vco是什么结构?

像楼上所说的，计算出来的和仿出来的差别很大，所以很正常，不是以VDD/2为中心说明你的NMOS、PMOS管之间的宽长比设计的有问题

楼上正解，应在PMOS NMOS 相同电流，相同源漏电压的情况下计算各自的W/L

谢谢，路过

我也遇到了这个问题，我考虑了设计余量，余量为4；但是必须把W/L调节到很大才能实现振动。为什么会这样?不知你是怎么解决的?

我也遇到了这个问题，我考虑了设计余量，余量为4；但是必须把W/L调节到很大才能实现振动。为什么会这样?不知你是怎么解决的?

我也遇到了这个问题，我考虑了设计余量，余量为4；但是必须把W/L调节到很大才能实现振动。为什么会这样?不知你是怎么解决的?