VCO负阻管的过驱动电压一般设计为多少呢？

你可能会解释更多?

0.3VT

这个我觉得要从电流角度考虑，你首先应确定给负阻单元多大的电流，然后根据这个电流，和需要的-gm确定选择什么样的尺寸即vdsat

负阻管的Vdsat有什么要求吗?我看到有些论文是考虑满摆幅条件下PMOS和NMOS的过驱动电压值，得到振荡器的电流Itail。你的意思是我们设计vco的负阻管时候，是先选定电流Itail,再根据gm的值来确定管子的尺寸，从而vdsat也就确定了?

你说0.3vth?就是为0.15左右喽。

我可能考虑不够，如果考虑要在最大摆幅时，要是考虑达到最大摆幅时，负阻要进入电流切换状态，即Vout_max>sqrt(2)*vdsat,这样是不是就有一个上限，学习阶段，经验不足，期待高手解答！

负阻管的vdsat是大点好?还有我们的vco的单端输出端（outn,或者outp)的DC值要设计为vdd的一半值吗?0.18um工艺的话为0.9V?