ESD问题求助（急）

如上图ESD保护，是利用了MOS管内的寄生三极管(pnp / npn)，如果我去掉下面的nmos，那么对ESD会有什么影响?
上面的pmos是不是既可以保护正的ESD，又可以保护负的ESD?去掉了nmos是否只是降低了ESD保护能力，而没有特别大的影响?（正的ESD指的是ESD为正的电压，比如+1000V）
非常急啊，这几天希望有高手解释

NMOS千万不能拿掉！ESD主要是NMOS起作用。
见过PMOS拿掉的。比如3、5v兼容的pad.

把nmos拿掉会怎么样?

管子接法好像不对

管子解法没问题的~

这样看你整个芯片的ESD保护保护方案。只要保证所有情况下都存在ESD电流的通路就可以去掉N管或P管。一般情况下电源的保护结构可以去掉一个管子，但IO的保护
则不可以去掉。

下边那个是GGNMOS,作用比较大，一定要留下。

P2P之间必须有ESD，NMOS保护P2VSS的，不能拿掉，相同，PMOS也不能拿掉，因为是保护P2VDD的。

what is GGNMOS?

ESD峰值电流：如HM2000K约1.3A；
这种寄生的ＰＮＰ或ＮＰＮ在反偏时导通电流较小，如果去掉ＧＧＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ导通电阻太大，ＰＳ模式下，ｐａｄ容易打坏。

NMOS千万不能拿掉！ESD主要是NMOS起作用

感觉把nmos去掉的话, pad 对GND之间的negative stress应该效果会差比较多, 不知道你VDD和GND之间的clamp 怎么做的.我没有实际经验.

为什么考虑把NMOS去掉呢?

把nmos拿掉後, I/O對GND打負mode會很慘

电源和地之间的ESD做了吗?见过拿掉PMOS管的，觉得在打ESD时，电源和地是等效的。理论上拿掉NMOS 管也是可以的。

一般情况是寄生NPN的beta要比PNP的beta大一些，所以下面的NMOS的电流泄放能力以及snapback效果要比PMOS好很多，所以一般没有见过拿掉NMOS的。

同意。小编对ESD还缺乏基本的理解