带隙基准源的问题

带隙基准源中的pnp三极管的B级和C级相连接地和E级形成二极管，其温度系数△VBE/△T，在拉扎维书上为-1.5 mV/°K，但在实际应用中，有时为-2.1 mV/°K，请问如何根据工艺库中的参数推算出二极管的温度系数呢?如csmc的0.5工艺。

书上和实际肯定会有差别的

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请问如何推算出来呢?

没人回答阿，知道的大哥们不吝赐教阿

跑跑仿真吧，总是需要微调的

工艺文件里，会给出一些特性的温度参数。

没算过，都是仿的
但看工艺里面temp coeffiency里面有 IS，xti，分别是反向饱和电流和反向饱和电流系数，用公式vbe=vt*ln(ic/is)就可以算温度系数了。

工艺文件记得好像有，但知道了温度系数算出来的结果肯定不准，还是要自己仿

差别总是会有的~

我感觉应该从带隙的原理入手，就容易了

请问一下，如何仿真温度系数呢?写一下hspice语言可以么?

Vbe的温度系数具体怎么仿真?

公式vbe=vt*ln(ic/is)和ic有关系啊，那就必须先确定ic的大小才能计算，而ic的大小是由电阻值来确定的。
我觉得用公式计算的肯定不正确，应该是要仿真的吧。但是Vbe的温度系数和温度以及Vbe的大小有关系，具体怎么仿真的?做过的人来讲讲吧！
呵呵

公式是大大的简单化了。但是别忘了，仿真就是计算繁复公式。具体地说，半导体工艺参数很多，都有些温度相应在里面。所以-2mV/degC是泛泛而谈。最后的结果就是Vbg=Vbe+KVt, 正负抵消。
具体仿真就是看Vdc vs. temp. 在cadence里面就是个普通的parametric sweep.

说到底还是要借助仿真工具，现在的模型太复杂了。

要看model吧

应该还是靠仿真吧?

自己做一下dc sweep就可以了，给三极管一个恒定的电流偏置（电流大小跟实际工作电流相同），做温度扫描，然后看一下Vbe随温度变化的曲线，自己测量一下，希望有所帮助
ps，拉扎维给出的只是一个参考值，随着工艺的不同这个值会有变化的，有其实现在用的很多都是标准的mos工艺，跟bjt，bicmos工艺的差异还是不小的

工艺库里的参数也不一定准所以没法去推只能是仿真微调到合适的地方

不知道怎么算啊

从推倒公式来推倒啊