hspice problem

我在提取mos 模型参数 Vth0时，遇到了一个问题，i=(1/2)un*Cox*(W/L)*(Vgs-Vt)^2*(1+lambda*Vds),我固定Vds为1.8V,对Vgs扫描，得出Vth0为负值，NMOS管，.options list node post .lib 'F:\hspice\ms018_v1p4.lib' tt.opvdd 1 0 1.8vvin 2 0 1.8vm1 1 2 0 0 n18 l=0.18u w=0.18u .dc vin 0v 1.8v 0.1v .plot dc i(m1) .end
i1/i2=(1+lambda*Vds1)/(1+lambda*Vds1)
这是为什么

只有但电路为饱和的时候，Vt的计算才是正确的，否则由于短沟道效应的存在，会有问题的！

不能吧，这个vt0是什么状态下的?

一般 Vtho extraction 是在 linear mode of operation,
small Vds 下操作的