求租LDO稳定性问题。
对LDO来说,主要是考虑两个极点,EA输出极点Pea和Vout极点Pout。采用Nmos管,想必Pmos管,输出电阻要低得多,近似为1/gm,而pmos为Rds。输出极点Pout随负载变化,EA输出极点Pea相对变化小一些(miller电容相受影响)。重载时,输出极点高,可以稳定。轻载时,1/gm变大,Pout处于低频,两个极点靠的很近,需要补偿。
至于补偿方法应该要看运用场合吧。ESR补偿应该可以的。VCCS。其他的补偿方法应该也可以解决。至于极点随负载变化,这是LDO的特性。需要保证所有负载情况下均满足稳定性要求。我的思路是补偿相对稳定的Pea,这样就算Pout随Iout变化,也是单极点,稳定性可以满足。
不知道大家有没有什么好的思路,还请指正。
对于LZ提到的Iout达到几个A,我觉得选用Nmos不是很合适吧。不知道LZ什么考虑。输出电流能力最好的应该是N-type BJT.而且Nmos dropout voltage 很大.Pmos的还要好些.大家讨论一下.
选择NMOS的话,可以用charge pump把电压升上去作为EA的电源,gate控制电压升高之后,这样可以减小导通电阻,减小功率管的面积。
有人尝试过,这种做法吗?
大功率输输出电流还是采用NMOS比较省面积,比如大功率dc-dc在降压时候都采用NMOS为功率管,并且采用charge pump把电压升上去,这样还是有优势的啊。
学习了!
学习,学习;;;
charge pump引入开关噪声,就不叫LDO了,干脆用开关电源好了。
还是用PMOS吧
电流如果那么大的话,用NMOS的dropout导致的功耗增加绝对得不偿失的
的确许多LDO这么做!
太牛了,长见识了
功率管上面借个nmos类似于cascode psr是肯定增大的
我刚做完。
牛hahhhhhhh
新手学习中
学习了。