有点疑惑了，请教一个简单问题

如果维持输出的共模电平不变化，sansen是对的，但是要维持大信号模型不变，必须要修改输入管的宽长比。
如果不管输出共模电平的变化，只考虑小信号增益，前面的分析是对的。
跨导的三个表达式，仔细看就有矛盾的地方，有一个跨导与Vds正比 ，有一个是反比。还是看什么时候用最合适。
razavi的书讲的比较清楚。

个人觉得，vin和ID是关联而不是独立的。我是从来没听过说强反型下本征增益跟电流没关系的，记得应该是跟电流的平方根成反比吧。即使复杂模型下，不一定是这种关系，但是随着电流减小，本征增益变大应该没什么问题。进入亚阈区可以说跟电流几乎没关系，但是这种用法不是普遍的用法。

找了Sansen的原版书，还真说跟电流无关。Sansen是个牛人，但是这个表达似乎有欠妥当。一般说本征增益是说对一特定工艺下某一给定MOS,而对一个MOS来说，如果W/L给定，工艺给定，改变它的Id意味着它的Vgs跟着变化，Av中的Vgs-Vt依然随着Id变化，说本征增益跟Id没关系这个说法很怪。查了一下资料，Berkeley EECS140中，Av~1/Id^0.5，Phillip E. Allen的第二版中同样是这个结论。兄弟你可以去看看。

所以说，尽信书不如无书。而且注意一定不要断章取义。
理论上讲，两家说得都对，只是sansen的不太符合实际。
按sansen的公式，如果Vgs-Vth变了，其他条件不变，管子仍然在饱和区的话，I一定要变的，所以是与I有关的。或者，如果L变了，其他条件不变，管子仍然在饱和区的话，I也是一定要变的，所以是与I有关的。
实际设计中，通常电流是确定的，然后来调整W/L。所以最好基于电流不变来分析问题。

sasen是基于恒定过驱动电压vgs-vt做出的结论，在这样的设计原则下，他是对的

没看明白,菜鸟路过！