关于带隙基准

请教各位高手一个很低级的问题：
带隙基准里面必然用到BJT，而多数的教材都说到这里的BJT由于是基于MOS工艺，也是 采用MMOS工艺实现，即衬底BJT。采用NWELL里面的P+作为发射极，N+作为基极，P衬底上面的P+作为集电极。
我的问题是： 进行HSPICE仿真的时候，BJT的库模型怎么选择?BJT还是专用的衬底BJT模型（这个我尚未见过）还是?
另外 LAYOUT应该注意什么?
倒比管是什么意思?

mos工艺中应该会有对应的BJT库，如果没有可能就没法仿真了，寄生的BJT要比专门的双极性工艺作出来的放大倍数小很多。至于版图还没画过这种的，所以不太清楚，搬板凳等高手。

每个FAB会有自己的BJT库 有些是寄生的BJT 有些是普通的你在它给的 SPICE MOD里面就可以选用不同的模型
倒比管 就是 L 比W 大的管子普通的MOS管子都是W>L但是作为大电阻用的MOS管子的话 就需要L>W了

楼上正解。
倒比管也经常在低功耗设计中使用。
layout 要注意BJT之间的匹配。

谢谢楼上的各位的解答。
大致明白了一些。
我想是这样，工艺还是MOS 的逻辑工艺，只是里面有具体的衬底BJT模型（P+/NWELL/PSUB BIPOLAR MODEL），原理图中应该调用BJT SYMBOL和P+/NWELL/PSUB BIPOLAR MODEL库模型来进行仿真。
这时候相当于有R、MOS 和衬底BJT的库同时调用于带隙基准的仿真中。
而流片则全是MOS工艺。
又二个问题求助 呵呵
Five corners are supported: TT, FF, SS, SNFP, and FNSP.
TT, FF, SS, SNFP, and FNSP.前三者分别是典型 快速和慢速，那么后两者是什么?
MOSFET type：NMOS；PMOS ； Native NMOS，这第三种是什么?

楼上是来做广告的吗?

不用担心这个问题的 ，模型工艺上提供的，具体怎么画工艺上会给出的 设计规则的

BJT参数怎么弄啊?

要用到bjt的，还搞不清怎么

很好，很强大

学习学习...

analog designer
BJT 对 CMOS analog design而言, 不常用,
除非在做一些 DC 电路, ex: reference voltage/current generator/BG.

analog designer
像我在 tape out时, 一定要跟 foundry 要 design kit, include BJT,
因为 foundry is base on his layout to measure as model card, so 请不要自己画.
要不你的 BG 会差很多！

FNSP: Fast NMOS Slow PMOS
so same SNFP

native NMOS: NMOS in NWELL, more used as varactor

很受教。

没有人说关于倒比管的作用么?

好好学习一下

好贴，收获学习中！
定。