一个有关45nm工艺中金属线方块电阻变化的问题

有个问题想请教各位大虾。
TSMC45nm工艺中同样金属线的方块电阻会因为线宽和线间距的不同而不同。
比如下表所示：
线宽线间距方块电阻
0.07um0.07um0.278ohm
0.07um0.21um0.139ohm
0.21um0.07um0.188ohm
这是什么原因呢?百思不得其解啊！

不同width/space实际刻蚀出来的图形效果不一样呀

wasoga
learning

能有翻倍的差距么?

还有没有其他解释啊?