请教一下 有关N阱中NMOS的工艺

zi ji ding

guan zhu zhong

A-MOS管使用的就是这种工艺，不过我没用过

衬底不受限制

在p衬底标准工艺中，只有pmos的源和衬底可以接在一起，nmos因为其衬底就是芯片的衬底，只能接到gnd或者最低电位上。若是有了深Nwell，再在里面做pwell，nmos的B和S可以接到一起了，减少衬偏效应的影响

谢楼上解答，不过你可能误解我的意思，我说的N well NMOS 工艺是指在N well 中用N diffusion 代替 P diffusion的一种管子，我对它不熟悉 ，所以请教大家

zai ding

nmos in nwell叫varactor
一般用作变容器
这种器件不存在反型区
受VG影响电容在某一段范围内能展现出接近线性的特点
很适合用在vco中
可以参考razavi相关paper

哦，用N diffusion代替N well 中的P diffusion ，这样就保证其始终处于积累区而不会反型，这个办法真绝了，呵呵，不过好像这种工艺比较特殊，很多代工厂不提供

这种管子作在N阱中，相比作在衬底上的NMOS，N阱寄生电阻小，管子的Q值会有改善