问一个关于版图的问题
时间：10-02
整理：3721RD
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关于版图器件隔离的问题，通常有两种方法，一种是LOCOS隔离，一种是STI隔离，请问这两种方法各有什么优缺点呢?从版图的截面结构来看，有什么区别呢?
区别
LOCOS是用Field Oxide来做隔离，STI是深槽隔离。
LOCOS用SiN+SiO2等工艺制作，STI要深槽刻蚀+Oxide+Poly等工艺来完成。
LOCOS占面积大大，STI面积小，但工艺复杂。
从剖面来看看：LOCOS象个鸟嘴，而STI是个槽结构，然后用SiO2+Poly填充。
先进制程多用STI工艺，面积小，另外可以做高电阻等……
学习了！
沒想到這裡也有討論 IC fabraication的問題
to bebe00
请问有没有关于这方面的文档啊，想学习学习，特别是关于SOI方面，本人现在在学习这方面的知识，有需要。
wwjghcy@163.com
STI更常见
学习了，刚想发问，直接看见答案了
隔离效果显然STI啊。比较LOCOS是多少年前的技术啦。
STI深，占用面积小。