请加封装后电流增加的问题
请教各位朋友，有没有遇到过类似的情况，或者请封装的高手，实效分析的高手们帮忙指点一下，看看是什么原因，该怎么解决?
以前也有网友遇到问过一次这个问题，但我没有看到后续结果，如果知道的朋友，也请帮忙解答。
封装应力引起的?
现在我也收集各方面的信息，在进行FA之前，基本也把矛头指向了封装的应力。但我想看看有没有朋友已经遇到过类似的问题，请教请教他们的分析方法和分析结果以及解决办法。
bonding pad可能有micro crack，打线机打的
ok
我想您所說的電流增加應該是 leakage,leakage有分很多種,Quiescent Current/Shutdown Supply Current/....等多種,他們都是在不同狀況下漏電現象,我並不清楚您的電流增加是屬於哪一項,但大體來說,依製造面來說,c/p 及 f/t 程式是否匹配?也就是說 c/p spec.是否太寬?或f/t太緊?在封裝製程中是否有 demage ic的狀況?剛剛說過,漏電流有很多種,有些會因為封裝demage的狀況出現不一樣的情況,如gate被擊穿,他所呈現出來的現象是不一樣的,依據這原理,您可以慢慢找到電流增加的源頭,如果你說的跟我說的是同ㄧ件事的話！
我们测试的电流是指工作时候的电源电流，其中应该有正常的电流分量，也有漏电电流的成分。现在的状况是：封装后测试电流相比wafer测试变大了（注意：功能完全ok，我们所需要的spec中现在只发现电流这一项发生了变化），有些已经超过我的spec而造成yield不满足我们的要求。电流增大的原因我们不知道，但我可以确定应该不是cp/ft的spec不同引起，我们也曾经怀疑了这一点，但将封装后的芯片使用同样的cp程序和设备，同样的电路进行了测试，问题同样存在。而且电流增加的芯片还有一个奇怪的现象：我们的芯片可以工作在3~5V下，那些出现电流问题的芯片，在3V下电流正常，随着电压增加，Idd也增加，给人感觉好像打开了一个什么东西，使得增加的部分电流随电压线性(非准确说法)增加，而且增加的量不能为我们接受。虽然正常的芯片随着电压增加电流也略有增加，但增加的量在我们接受和理解的范围之内。
请朋友们帮助分析。
quote]原帖由 st1358 于 2008-10-24 15:18 发表 
我想您所說的電流增加應該是 leakage,leakage有分很多種,Quiescent Current/Shutdown Supply Current/....等多種,他們都是在不同狀況下漏電現象,我並不清楚您的電流增加是屬於哪一項,但大體來說,依製造面來說,c/p 及 ... [/quote]
对了，如果是因为gate击穿等，电路功能或其他性能也应该会发生变化。