大虾请进：版图中源衬相连的问题
时间：10-02
整理：3721RD
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各位大虾：在virtuso画版图时，用的是chrt.35的工艺，P衬底单阱（N阱）工艺，要把NMOS源极和衬底连接在一起，但是不连接到最低电位，应该怎么做，请大家说清楚一点， 我是一个新手，谢谢！
请说明你打算连什么类型的管子,不同的管子有不同连接方法
谢谢楼上的回复，我做的是一个由两个NMOS组成的源极跟随器，其中，负载管是源衬相连且到最低电位的，但是放大管是源衬相连却作为输出端口的
单独做阱
单单NMOS管是不能将源和衬底直接相连的，除非像楼上所说的那样单独做阱
请问单独做阱怎么做，能否说得详细点，谢谢！
就楼住所说的情况时不可能实现的
源跟随器上面的nmos管的衬底也地点为
一般的就连双井工艺（p-well,n-well）对于p-sub来说
是无法nmos的衬底是必须接地的
可以画一下器件剖面图，就会很明白的
但是tri-well是可以实现你要得连接方式的
顶下，楼上说得不错，除非采用三阱工艺，否则NMOS管衬底只能接低电位，我现在做的就是CHRT.35的工艺，呵呵
小弟多些各位的回复了！
no way
you ojust have single well
不解！为什么放大管一定要源衬相连呢?不能衬底接最低电位，但是源接输出?
Soure和drain相连可以避免body effect,提高线性度
single well 无法实现NMOS的SD相连，只能做PMOS的