CC2530F256 的内存分配

各位大师：

大家好！第一次发帖，请多多包涵。

本人最近在做一个项目：利用CC2530F256芯片进行开发，其中要求功能之一为对射频芯片的IEEE地址进行软件修改，即对flash的write操作；看了许多帖子总结出如下几点：

1.IEEE地址在flash里的0x3FFE8--0x3FFEF处，对该区域内容进行修改；

2.不能在运行程序时写flash，应该将write代码复制到sram中：HalFlashRead(PAGE_OF_RAM_CODE, OSET_OF_RAM_CODE, ramCode, SIZE_OF_RAM_CODE);

其中，#define PAGE_OF_RAM_CODE 51    #define OSET_OF_RAM_CODE 0x6DD     #define SIZE_OF_RAM_CODE 0x23

这是参考Z-STACK里的配置来的（问题的源头！），但我又不知道代码是从哪个地址复制过来的，

链接文件使用的是默认的F256.xcl，

尝试了使用Z-STACK里的f8w2530.xcl，结果程序完全瘫痪；

3.调用HalFlashWrite(),该函数调用了触发write flash的核心代码（复制到sram里的代码）

HalFlashErase(0x7F);  writeWord(0x7F, 0x7E8, nID );   ----写之前先擦除

结果，报错

所以，发个帖子请教各位高手，问题如下：

1）CC2530F256的内存配置是不是可以通用Z-Stack里面的CC2530内存配置，具体的RAM_CODE_FLASH和RAM_CODE_XDATA起止地址应该为多少，如何对.xcl文件进行相应修改？

2）对IEEE地址软件改动的流程是不是合理正确的？

拜托各位了，这个项目时间很紧，本人纯属开发届菜鸟，还请各位多多指教，给些建议和想法，多谢多谢！

这个问题已经解决了，解答如下：

1.CC2530的flash是在CPU方式写的时候要将代码复制到SRAM中，这个过程也是十分的繁琐，所以一般不建议采用CPU写方式；

2.采用DMA方式，可以在运行时改写flash（网上有些帖子有误），按照CC2530的用户手册上的步骤写flash——

  （1）先设置将要使用的信道（0-4）地址DMAxCFGH：DMAxCFGL，这也是我上述问题的关键点，一定是先配置好信道地址。详见datasheet里8.3节；

  （2）然后指定所使用的信道，对DMA Configuration Data Structure进行配置，并且“arm and active”；

   （3）写操作

3.具体的代码，可以参照Z-STACK里的writeflash()，但是它之前已经对DMA的初始化了，自己写的话还是需要要增加步骤（1）的；

希望对有需要的人以帮助，谢谢捧场！

牛，收藏，以后应该会用到