UCC28700 低压启动不起来

各位好，我在用28700设计的一款5V 2A 的手机充电器，原理图在下面，

设计比第一版的时候，输入滤波电容20UF,上图中R17为3K,没有加C6，85-265Vac输入，电源工作正常;但是改版后同样

的参数调试时发现，如果CS引脚不加33pf的电容，85V-265V输入，电源输出电压不会超过2V,最终将R17改为910欧姆，

并给CS引脚加一个33p的电容，这样电源在170-265v能正常输出，可带负载2.2A,但85-170时则输出不正常，这个很急，

请帮忙及时分析下，谢谢。

以我调试 用UCC28700的经验来看，电源工作不正常，基本上都反映在VDD的电压上。估计变压器参数不太好，低压时，VDD不能维持。你自己用示波器看看先吧。

你好，VDD的电压我用示波器看过的，85-170V的时候，VDD上的电压波形是一8V到21V的锯齿波，的确不能稳定，

但是同样的变压器，我未改版前的那块板子上是可以的，请帮忙分析下是不是还有别的原因？

你好，根据我用UCC28700的经验来看，电路中影响VDD稳定性的有几个部分的电路：

1.变压器参数，尤其是辅助绕组的匝比；

2.RCD吸收电路，尖峰吸收不好，容易造成VDD过压烧，但是钳位太厉害，就可能造成辅助绕组对VDD充电不够，以至于IC无法正常工作；

3.MOSFET的驱动也有影响，但是那部分一般都是标准接法，你可以更换个MOSFET试试；

另外你用示波器看VDD时，最好同时看看DRV输出，看看是完全不能建立VDD，还是带负载后不能维持。

我想要最好的解决方案还是增加辅助绕组的匝数，估计你之前的变压器参数就很临界。

希望你早日解决问题，把结果分享一下哈……

这位兄弟，才发现你MOFET驱动电路还真的有点问题，G和S之间可以不跨接电阻吗？没见过……

你接一个10K电阻试试，如果还不行，可以试试自己搭一个加速关断的简单电路。

MOSFET的关断响应速度之间影响反激电压的高低呀……

陈大哥，谢谢热心回答，是和我下图一样，在这个位置接个10K的电阻吗？

还有我有个问题想问，加这个电阻，关断MOS的关断速度会快，但S接的是电流检测电阻R18，

这个10K电阻会影响芯片电流检测的信号吗？我入行不久，请指教下，谢谢。

是的，那个地方应该接一个电阻，通常是一端直接接地，接在那里也没什么问题，那点电流根本不影响R18的采样精度。

你可以用WEBEBCH设计一下嘛，看看生成的电路和你的有什么差异。

TI的官网有5V2A的成熟案例也可以下下来看看啥

这位兄弟，能描述一下你改板前后除了输入滤波电容和R17，还进行了哪些修改？（Layout或者变压器改了吗）

因为你原来的电路工作时正常的，改了以后不正常了，那分析问题的思路就在于你到底两个板子有什么不一样。

时间关系，我也没有计算你电路上元器件的参数，建议你可以参考一下我们的参考设计，或者用我们的WEBENCH在线设计工具设计一下。

以下是5V/2A参考设计的连接：

http://www.ti.com.cn/tool/cn/pmp4351

http://www.ti.com.cn/tool/cn/pmp8286

根据你之前的描述，建议你可以观察下芯片CS引脚上的波形，看看是否有比较大的振荡或尖峰，测量的时候一定要注意尽量减小示波器探头上地和探针的回路（这样才能看到真实的波形）。

user guide中接10k电阻的地方和你的不一样，你可以参考下

之前板子的尺寸50x50的，现在改版成40X40.所以Layout变了，变压器没变，参数我也和WEBENCH上的设计比对了，没有多大区别，MOSFET的G和S极跨接10K电阻的方法我也试了不行，

我始终觉得还是变压器那里出了问题，你把变压器参数贴出来看看，或者用你之前的变压器和现在的变压器互换试试。

不好意思，出差了两天，变压器参数如下：

先原边,在辅助绕组，最后输出绕组；原边感量Lp = 440UH,漏感<20uh。

新做的变压器换到原来板子功能OK的，应该不是变压器的问题。

你试着对换两个变压器了吗？如果参数临界，多半圈和少半圈就是差异。

还有就是RCD吸收那里，你试试将吸收减弱些。

增大VDD电容试试

你好，你的问题已经解决了么！

根据你的描述，问题还是出在layout上面，UCC28700这颗芯片由于是内部模数转换控制，对layout要求较其他芯片高很多，不能有EMC干扰，否则是不能正常工作的，而且你从测量上还找不到原因。芯片数据手册中有一段关于layout要求：芯片的GND与MOS管的HV-GND共地点放在电容下面，否则会有干扰进入芯片。你可以在现有的电路中芯片GND与HV-GND之间的位置连接一个0.1uF高压薄膜电容到HV+，看是否能够排除故障。