微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > TI电源管理交流 > 功率NMOS的驱动问题

功率NMOS的驱动问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

查看了很多款功率NMOS,比如CSD87313DMS、CSD13385F5等型号,参数列表中只给出了VGS=4.5V、VDS=6V、IDS=0.9A等固定值情况下的栅极电荷量,当我的MOS工作状态不在这个情况下,我不知道我的驱动电路瞬间电流能不能驱动NMOS打开,这时的栅极电荷量该怎么计算呢?有计算公式或者工具吗?

Hi

   MOS是电压驱动型控制,只要Vgs>Vth, MOS就能打开,重点在于打开的速度,对于开关电源的MOS选取而言,一般选择Qg尽量小的MOS,这样启动较快。

   Qg看datasheet:

   

那NMOS的最大工作电流是怎么确定的呢?在开关电源中Ids可通过的最大电流值会随着我驱动电压的变化而变化吗,线性区电流公式Ids=μCoxW/L*(vgs-vth)Vds-0.5Vds^2.还适用吗?

Hi,

你说得对,我刚才应该是说错了,我仔细想一下再来和您讨论。

另外还是想请问,这个共漏极双NMOS是用来做双向保护的吗?谢谢

您好,我跟您理解的不一样。在开关电源中,功率器件,比如功率MOS,它就是当作机械式的触点开关的作用,应该工作在可变电阻区,这时候的Vds很小,P=Ids*Vds,所以从导通切换到关断、关断切换到导通的瞬间功耗,以及导通期间NMOS的功耗不会很大。如果工作在饱和区,Vds就是伏特级别的,那功耗太大,不是开关电源拓扑想要的结果。例如BOOST拓扑结构,输入纹波电流的计算ΔI=(VIN-0)DT/L,   这个公式中明显忽略了Vds,说明它很小。


很惭愧,功率共漏双NMOS的作用我也不清楚。

对于开关电源中,MOS的功耗主要是在开启或关断的这段时间内,MOS恰好是出于可变电阻区。当管子打开之后,MOS是处于线性区,这时候的电阻最小,所以压降很小

您好,CSD17585F5的datasheet只给出了Id=0.9A、Vds=15V时候的栅极电荷量,如果Id和Vds不是这种情况下的栅极电荷量是多少?比如Id=3A,Vds=10V

当MOS打开之后不也应该是深线性区吗?如果处于饱和区,VDS最小也等于VGS-VTH,VTH一般1V左右,如果要把NMOS驱动起来能够走大电流,那VGS至少比VTH高2V左右吧,也就是VDS=2V,那开关导通得消耗太多的能量了。

之前解释的不正确,开启后是出于线性区,电阻为定值

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top