关于bq charger IC的DPM机制

各位好，我想请问下，当charger IC在使用DPM机制进行充电时，

   1、 在CC（1000mA）阶段，是否可以再次对Current limit 进行重新设置，如重新设定为500mA？

    2、在CC（1000mA）转至CV阶段后，正常情况下，DPM是从1000mA（CC limit）开始，然后降低，是否可以在进入时重新设定值为500mA，从而使其直接降低至500mA，然后慢慢降低

补充问题：charger IC的DPM机制，是从哪里获取C、V的数值跟我们设定的值进行比对呢？charger IC本身能够获取到C/V值么？如果可以，是如何获取呢（Sw register or HW）？

    谢谢大家！

Hi

   看你具体用哪一款芯片，一般是由电流限制设置的。

您的意思是:

1、ti某系列的芯片可以在CC时改变DPM的Input Current limit，并发生作用，使其使用新的limit进行CC充电

2、ti某系列芯片可以在CV时对DPM的input Current LImit进行设定后，可以使其以当前设定值直接进行CV充电？即CC以1000mA充电后，当转入CV时，直接以500mA进行充电？那这充电电流必定有个断层，会有什么严重的影响么？

另外，使用的是IDPM，我主要想问您具体这两个阶段的修改是否会发生并产生作用？是否有影响？

谢谢了！