如何判断开关节点的振铃是否在电源芯片集成的MOSFET承受范围内？

如何判断SW节点的振铃是否在MOSFET承受范围内？

TI的许多集成MOSFET的同步降压芯片只标注了Vin的电压规格，对于集成的MOSFET的雪崩击穿能量等没有详细的参数，现在发现一个使用TPS53355的电源30A负载下SW节点振铃最高点有24V（已经是使用很短的地针了），远大于15V了，如何判断是否存在风险呢？

另外还看到一个资料slua831讲解了如何在下管DS之间加吸收，可是文档里的图片，加了吸收后振铃最高点还有23V多，所以到底吸收到多少才是合适的呢？

Hi

   Datasheet上一般都是有对应SW（或者LL）脚的耐压规格的，例如TPS53355:

你好，关于内部MOS的击穿电压参考上帖。

对于吸收电路，吸收电路的添加是以损耗效率为代价的，所以这是一个折中。对于这颗芯片只要你的击穿电压在MOS承受范围之内的就可以了，不必压得很低。压得太低，效率不高还会导致芯片温升严重

原来是在output这一栏里 之前没找到  非常感谢！