TPS63020使用異常
新打的板子用手機充電器供電，第一次上电后，电压就不正常，过一会IC很烫，再次量测发现L1和GND导通，应该是击穿了！量测手机充电输入电压接近5.2V,怀疑是电压过高，改为18650的锂电池供电，重新测试另外一块板子，刚上电测试正常3.3都有过了一会发现IC还是很烫，再次量测还是发现L和GND导通了！请教一下，这是什么问题导致的啊？电路如下图！还请帮忙大神帮忙看看！
Hi
L1与GND短路，说明是升压中的低边MOS烧掉了，而你测试芯片是出于降压转换的。
建议确认如下：
1. 电感选择的是饱和电流足够的功率电感。
2. layout上输入电容尽量靠近Vin.
3. 外接电压是否是直接插拔，这样至少建议前端增加TVS管。（或者有热插拔之类的设计）
4. layout上芯片底部pad必须充分与GND焊接。
感謝回覆：
針對您的建議回覆如下：
1：我的电感选择的是TDI的SPM6530 2.2uH的，饱和电流最大可以到8A
2：输入电容靠近ViN了解，但是这个距离有那么大的影响吗！最多应该是不稳定对吗
3：外接有加TVS管，
4：芯片底部有充分焊接！
感觉这个问题蛮严重的，我打的板子基本都有问题，我一块板子有用3颗，分别转3.3V 4V和5V
再补充一下，我测试的时候，都有把输出端的0欧姆取下来先验证，想这种情况没有负载的情况下，都能烧掉是什么原因啊！我真是搞不懂了，按规格书设计这个电路没有任何问题啊！
Hi
饱和电流确实过大了，主要是担心输入电容隔太远导致输入不能稳压，按照你的测试，都是降压的，但是烧的确是升压的MOS, 所以才怀疑输入以及不排除输入过压）， 如果有条件的话，用电源供应器测试确认一下，用仪器的软开关控制输入电压的启动。
如果不良率特别高（蛮严重），请问你的芯片是哪里买的？ 手焊还是reflow? 要确认一下温度。
Hi :
感谢回复！
请教一下，饱和电流过大会有什么影响？另外烧升压的MOS是怎么判断的啊，请教一下！
我都电路设计有什么问题吗，不良是蛮高的，料的话他们好像是在立创商城买的！市场上是不是假货太多啊！
另外请教一下，正常的FB是0.5有的FB量测出来是0.8这些是代表FB击穿了的意思吗？
麻烦啦！
Hi
建议尽快在TI网站上申请免费样片，有可能是芯片质量问题，市场上假货确实多。芯片购买必须找TI授权代理商：
http://www.ti.com.cn/general/cn/docs/gencontent.tsp?contentId=24957
L1 烧掉（对GND短路），说明是上面红框中MOS烧掉。 然后你输入是5V(或者4.2V),输出3.3V,是降压，则是从左到右第一个和第三个MOS工作，第二个（红框）是恒关，第四个恒开。
电感饱和电流大了，没有问题。
Hi:
了解感谢！我已申请免费样品！
针对以上您的专业分析，应该是倾向于IC问题导致出现这种情况对吧！另外我电路图中的回馈电路可以取消吧，我感觉加了这个输出电压应该跟FB电阻算的不是很准确！
纠正一下，BUCK模式下，是L2管脚处连接到地的MOS管一直关断，第一和第二（红框）是交替开关动作。
还有你的R62取值68K有点大，环路应该是有问题的，才会导致损坏，建议将这个电阻和串联的电容移除，同时上传一下L1节点的波形
你好，您说的R62我是参考规格书里面的画的，请教一下这个环路具体有什么作用呢，我是否可以取消它！
如果将它设计在里面的话，这个设计的电阻电容值是依据什么来的！
你好，可以请假您一下关于环路设计需要注意的地方吗？设计值如何选择！
L1节点的波形，因现在IC坏了，等新IC回来后再上传此节点的波形给您确认！
Cff的取值如图
，其中Rfbt为反馈端和Vout相连的电阻值。
由于你改变了反馈端的电阻以及电感和输出电容，建议你用WEBENCH软件重新取值，而且你的电容太大了，同时Layout也要参考数据手册或者WEBENCH来绘制
刚才的帖子是针对串联电容的电阻取值为０ｏｈｍ。
具体有电阻的公式建议你找本开关电源的书来看，因为公式比较复杂。
Hi
感謝回覆！再次請教一下，電容太大有什麽後果，會影響到IC損壞嗎？
电容太大，造成环路带宽很小，引起环路不稳，容易损坏芯片
Hi Vental:
感謝，我用大電容的目的主要是考慮我后端模塊瞬間啟動需要2A的電流，而設計的！
像如果我後端瞬間需要2A的電流，Output的電容大概多少比較合適！
我裏面有用2顆陶瓷的1顆Tan電容，是否tan電可以取消不要！
输出电容100uF～200uF之间就足够了，2A电流是没问题的
瞭解了，謝謝！