微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > TI电源管理交流 > LP5907的使用问题

LP5907的使用问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

看LP5907的datasheet的7.4.1有说明该芯片内部有个230欧的放电电阻,我们的应用中,正常使用时是5V转3.3V,而生产过程中烧写代码时是外部直接供3.3V,也就意味着在烧写代码时LDO是没有输入的,这个时候有电流倒灌进LDO,DS中说明的RAD 230欧电阻就是放电用的,但不知道这个电阻的功率有多大。按照3.3^2/230,约有40mW的功耗,不知道这个电阻扛得住不?同时下面的管子能否也抗得住不?

 

亲;应该没有问题,可以试试。

不建议你这样使用,原因是LDO中那个mosfet的体二极管是从输出至输入的,所以即使IN脚没加电压,3.3V也会从输出灌至输入,使LDO enable,推荐加以下防反电路在LDO输出

你这成本好贵呀,那还不如直接加一个贴片二极管。这样不更省事。不过谢谢你的答复。

你好,请问我们现在用的LP5907UVX28,现在用的是输入3.3V,输出2.8V,但是看到规格书上面显示说dropout的最大值在200mv,请问我们可以这样用吗?

这一款LDO是不是对输入输出电压的压差有要求?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top