关于移相全桥电源设计中GS上升沿时间及死区时间的确定

大家好

我在做PSFB 功率等级5KW 

MOSFET型号为IPW65R080CFD

其电器特性为：

开关频率为100KHz

请问大家GS上升沿时间控制在多少比较合适呢？

Rg为3.01ohm时的GS波形如下图所示：

上升时间约280ns

驱动电阻为10ohm时的波形如下图：

上升时间约为500ns

另请问死区时间控制在多少比较合适呢？

Hi

    可以选择Qg小一些的MOS.

    死区时间印象中一个做得再100nS左右，具体可以调调看，主要是看有没有同臂导通的风险。

Hi

   如果是全桥移相，你或可以参考TI的UCC28950, 有设计文档，只是功率比较小： http://www.ti.com.cn/cn/lit/an/slua560c/slua560c.pdf 

您好 我的设计是按照咱们TI的600W开发版设计的

MOSFET选用的是英飞凌2KW开发板里用的型号，因为也是千瓦级的，所以就用了

市面上能查到的开发板只有这两个

我在计算电路参数：谐振电感、变压器参数的时候参照的UCC28951 datasheet里的公式

但是有一个问题，如果FET的DS两端不并上10nF电容的话，计算出的谐振电感是负值，

按说不应该在DS两端并电容，应该是谐振电感和FET的寄生电容做谐振

我在论坛里问过UCC28951里面那些公式的有没有出处，理论依据，没有人答复

功率等级不同，计算公式会不一样吗？