TPS40056输出两路驱动死区怎么调节

我使用TPS40056+LM5113给同步整流BUCK的两个管子提供互补的驱动，开关管和整流管都是用的GaN，现在看从TPS40056出来的驱动，两边死区中一边是40ns，另一边上下管驱动交叉了，想问一下怎么调节这个死区时间？

一般来说MOS外置的deadtime是由开关管的驱动决定，如图：

所以如果你想扩大deadtime，可以在开关管的栅极接电容到地，可以让管子导通延时，增加deadtime时间。

你好，

这样开通速度是慢了，但是关断速度也会变慢，容易产生直通。

我开关管和整流管都是用了epc公司的gan器件，所以用了gan 器件推荐的驱动芯片lm5113 ，因此tps40056的sw 引脚我接地了，然后将tps40056的驱动给lm5113 ，现在的问题是我还没加管子的时候我测驱动波形，上管关断时两路驱动交叉了，问题应该是在tps40056 的这边，我想知道这款芯片的死区是内部确定的吗，我看手册没有外部引脚和死区有关系啊？

我现在Hdriver 置低时和Ldriver 交叉了，所以我的驱动跟你这个图不一样

你好，你的SW点不能接地，会影响内部时序。请上传一下你的原理图

原理图在附件里。那意思是我SW点接地了，所以死区出问题了是吗？

现在还不能完全确定，还需要和designer确认，我的理解是SW为地，意味着一直处于过流状态，时序可能会发生变化。具体的需要再去确认一下

我的ILIM引脚也是通过了个电阻接地的，因此我觉得 我的过流脚是没有使用的 

你的原理图有点问题，VFB和comp管脚的接的不对，没有反馈电压，没有环路补偿，建议直接对完整电路进行测试，该芯片有过流保护，只要知道选定的MOS管的导通电阻，就可以设置过流保护的电阻。同时软启动可以设置的慢一点，这样损坏芯片的可能性就会降低。

同时建议用TINA对电路进行仿真，以得到正确的结果

对于ILIM pin脚：

Current limit pin, used to set the overcurrent threshold. An internal current sink from this pin to ground sets a voltage drop across an external resistor connected from this pin to VCC. The voltage on this pin is compared to the voltage drop (VIN −SW) across the high side MOSFET during conduction.

外接电阻的多少决定了过流保护的阈值。具体细节见datasheet第11，12页

这是完整的原理图，我前面有电压环电流环的补偿，然后根据我的需求，我把芯片的运放接成了比例放大。因为我后面有LM5113，所以我要将TPS40056出来的驱动送到后面，因此我才将SW接地了。TPS的出来的电平是10V左右，我用的开关管驱动电平是不超过6V，因此用了LM5113

你的需求具体是什么，为什么要用外置的环路，芯片内部已经有完整的环路，你这样的用法我没有见过。

还有你想要低于6V的驱动电压，可以使用LM3150，因为它的内部LDO输出电压为6V， 所以其驱动电压理论上不会超过6V。