LM5117，上MOS开通瞬间，下管驱动波形出现振荡；电流超过3A时，开关频率降为设定值的一半，MOS驱动波形出现大量的窄脉冲

如图，硬件原理图基本同TI的官方DEMO板，电感更换为15uH，MOS管更换为仙童的FDP150N10，不使用内部LDO，VCC由外部13.4V电源供电。

主要出现问题有两个

1）上MOS开通瞬间，下管驱动波形出现振荡，振荡幅度可达±10V以上，频率在55M级别；

2）电流超过3A后，开关频率降低为120KHz（原来为230KHz），MOS驱动波形上出现窄脉冲（窄脉冲的出现频率大致为230KHz，约等于设定的开关频率值）。

     若通过加大RT来增加开关频率如调整为470KHz，实测频率仍然不变为120KHz，，而窄脉冲频率变化为470KHz。

你好Guan

  从你的最后一个波形来看似乎你的上管开通耦合到下管了，当然并不一定有这么大的影响，因为测量可能有些问题。

  1. 试着把你的驱动电阻调大，看看这些噪声有没有降低；

  2. 看看你的布板，上下管是不是已经比较近了，这块的环路要最小。具体可以参考我们EVM板上的走线。

你好，这是我的布板细节，我认为没有太大的问题，驱动电阻已经试过增加了，但是驱动波形仍然存在问题。而且，大电流降频这个问题，请问是何种原因引起的呢？

PCB布局太差，造成的干扰，至于你说的频率变成120K，那是受干扰后，出现的调周期，等于是两个周期导通了一个。请提供你的原理图及参数来看看，能确定的是，你的板子干扰太严重。造成IC都工作不正常了。

参数和TI demo板卡的参数是一致的

你好，

你可以参照下图来重新布板。对于外置MOS，外置采样的电路，对布线的要求比较高。驱动的高频信号容易产生干扰影响采样电路，所以建议按照以下布局，并且建议采用四层板，用地层把驱动线隔开。

谢谢。

你好，我想问一下你的这个问题解决了吗？具体是怎么实现的，因为我的问题和你的一模一样，搞了几天搞不好，谢谢。

你的问题是怎么解决的，现在我也遇到了

修改PCB走线可以解决耦合过来的噪声

出现这种情况，一般是IC自身受到干扰造成的，要注意几个方面，第一是IC的去耦电容一定要靠近IC端，第二是布局的时候尽量采用单点共地，第三是电流采样最好采用无感电阻且做好滤波措施。

您好，

您的layout串扰严重，建议重新画pcb