关于LM5116 可做最大功率问题以及MOS选型

最近在做一款DC-DC输入48-60V输出32V 20A，请问LM5116是否能做那么大的功率，现在发现5116的LO老是没有同部输出换了Qg小的MOS又可以,多并联几个MOS又会烧MOS,有是时还烧IC,希望TI的FAE帮忙看下问题,

Hi

     能做多大功率主要看芯片驱动力和MOS选择，以及足够饱和电流的电感，所以芯片不会提到能做多大功率。

     一般而言建议参考TI webench ，如果无法仿真出来，建议选择其他方案，包括2相的方案。

    就你目前调试而言，建议选择Qg尽量小的MOS，不建议并联MOS.

亲；如果你的原理没有遗漏的话，这个电路原理必然会烧。且原因与IC和原始方案无关。

亲；恕我直言，这个电路的首要问题是你至少在画图时没有考虑到流过MOSFET的电流是断续的方波。造成在实际电路中；电压振铃超标，IC端口超过额定值至IC或MOSFET损坏。建议修改原理后讨论。

大师您好！不知道哪里有问题，这个电路是参考数据手册的，请指明哪里有问题，谢谢！

这个功率太大了，LM5116驱动能力不够驱动这个功率MOSFET，建议外加MOSFET driver来解决。

你好，

32V 20A 600多W了，这个芯片做不了这么大功率，谢谢。