N沟道mos管驱动芯片

请问TI有没频率比较高的Nmos同步驱动芯片。

我想用来驱动半桥，然后我试过LM5100Ａ，可是频率一高就不行了（我需要的频率200K左右），

TPS28225我还没试，好像频率可以，但是他电压不够，我要的驱动电压出来有12V最好。

刚才用TPS28225试了一下，用信号源输入PWM波后，示波器测的上下两个mos管的驱动波形是好的，但是没有死区，如果通电那肯定会炸机的，我想请问一下，TPS28225的死区应该如何实现？　　
因为PWM输入只有一个端口，我觉得应该不是外部死区。
还有我想请问一下7号脚是干什么用的，我现在是直接把他悬空了。

你好，

tps28225是自动调节死区时间的（adaptive）,规格书20页dead-time control介绍了它的原理。它会检测驱动的电平，当电压低于某一值时，driver才会认为这一路mosfet彻底关闭了，这时才打开另一路mosfet。EN/PG 是使能和Power Good脚，不能悬空，请拉到高电平。悬空时的工作状态在规格书中没阐述，无法保证它的工作状态。

如果要12V电压又要外部调节死区，推荐LM5106。它的死区时间是外部电阻设置的。

谢谢，那么请问LM5106在200K频率下可以正常工作不?

可以的。

fanxuchao

谢谢，那么请问LM5106在200K频率下可以正常工作不?

请问有没有可以在正负电源供电的情况下使用的 mos管驱动芯片？

您好，我问一下，对于LM5106这个芯片，它的 IN 逻辑信号的频率范围是多少？技术手册上没给出，请问1KHz和1MHz是否可行？

LM5106的频率范围，自身并无限制，限制在于MOSFET的Qg。如果Qg特别小，delay也小，1MHz没问题，Qg大，就只能频率小些。