微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > TI电源管理交流 > LM5050-1不能正常工作

LM5050-1不能正常工作

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

按照lm5050手册中的典型应用电路做的PCB,现在测试的情况是,LM5050-1针对不同的电源表现出不同的性能,有的电源通电后,LM5050-1就能正常工作,外接的MOSFET的驱动电压达到11V,但是有的电源接上去后,MOSFET源漏极的压差达到0.5V,MOSFET没完全开通,即使通过MOSFET的电流有3A,还是如此。有时候,MOSFET通过0.4A以下的电流,LM5050-1能正常工作,但是电流大一点后,LM5050-1就不能正常工作了。感觉LM5050-1还选择供电电源。

请问TI的工程师这是什么原因导致的呢?

我的电路框图见附件!

主要是测试当电流从DC/DC流向锂电池组时,LM5050-1能驱动MOSFET开通,将Vsd的压降减小到27mV左右,当锂电池电压高于DC/DC输出电压时,能起到防反灌的作用。

实际测试过程中,用了几个不同的DC/DC,同一个LM5050-1的性能不一样。就是前面说的,有的DC/DC供电时,LM5050-1驱动效果很好,在电流为3A时,MOSFET的Vsd压差只有25mV,驱动端的电压与输入电压的压差达到了11V,但是,有的DC/DC供电时,同一个LM5050-1驱动效果就变很差了,驱动端的电压与输入电压的压差只有1.2V左右,3A时,MOSFET的Vsd压差达到了0.5V。

有的DC/DC供电时,在轻负载,零点几安时,驱动效果还好,MOSFET的Vsd压差25mV,但是到0.5A时,驱动又不行了,只有2A左右,反正MOSFET是没有完全开通,MOSFET的Vsd压差从180mV到500mV不等。

这个情况很是奇怪,这么简单的电路居然这么多问题。

 Hi,

    请把出现问题时的 IN, Vout和GATE的电压波形.,(压降达到0,5v和不能正常工作时) ?

附件1为带载0.77A时,输入、输出及驱动的波形,此时MOSFET的驱动电压为4V左右,MOSFET的Vsd为25mV;

附件2为带载2.24A时,输入、输出及驱动的波形,此时MOSFET的驱动电压波形较乱,MOSFET的Vsd为100mV;

因为之前测试时没记录波形,现在要重新塔,以上两种情况如果不够,我再去测,谢谢了!

当MOSFET正常完全开启时,GATE与Vout之间的电压是12v左右, GATE对地的电压是VIN+12v, 只有4v时, MOSFET是没有完全导通.

LM5050适用于Or-ing 控制,输出一般是后级系统的输入,  两个LM5050并联输入,然后起到二选一和防反接的作用, 当输出连接电池时电压会被钳住.

你的目的是否是希望外部DC优先供电,当电池电压低的时候需要IN给电池充电,当外部DC不在位的时候电池供电,如果是的话电池充电需要单独一个控制电路;

然后再加一路LM5050如下图实现Oring控制.

然后需要再,

是这个意思,我们现在是一步一步调试,先调试单路的功能,现在是单路都出现问题了。驱动为4V时,MOSFET的Vsd电压只有25mV。

加大负载后就出现了前面图片中驱动波形的抖动。

但是前面的DC-DC换成另外一种,情况又变了,驱动电压11V多,负载电流到5A时MOSFET的Vsd电压也只有25mV左右。

所以,现在不知道是不是LM5050-1的问题。

负载就是电池组,DC/DC就是给电池组充电的,选用LM5050-1有个目的就是防止新的电池组电压高于DC/DC的输出电压,而出现倒灌。

比如我的DC/DC输出电压为12V,但是有时候新的电池组电压可能会有13V,因此为了防止倒灌就用LM5050-1,如果用二极管,损耗又太大了。

一般充电电路的输出电压比电池组的电压都要高一点, 比如单节Li电充电, 恒压充电最大就是4.2v.Li电池的最大电压也就是4.2v.

我只是随便举个例子,和我的电路没多大关系。

前面带2.24A时驱动波形比较乱,您觉得出现这种情况的原因会是什么呢?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top